半导体随机读写存储器(RAM)用来存放动态数据或指令。它分为双极型和MOS型两类。双极型RAM集成度低、功耗大，用于高速工作场合。MOS型RAM又分为静态(SRAM)和动态(DRAM)两种。从集成度和功耗来说，DRAM好。无论何种RAM，一旦断电，所存信息即便消失。
    不论何种RAM，都由存储矩阵、地址译码和读写电路三大部分组成。地址译码可以采取单译码结构，也可以采取双译码结构。双译码结构更易于构成大容量存储器。
    只读存储器(ROM)有掩模式ROM，PROM，EPROM，E²PROM，EAROM，FLASH等形式，是非易失性存储器。这类存储器可靠性高，一般用来存放固定的程序或数据。还可用来实现逻辑函数。
     现场可编程逻辑阵列(FPLA)，是将ROM中的地址译码器改为乘积项发生器的一种可编程逻辑器件。从阵列的角度来描述，ROM的与阵列是固定的，或阵列是可编程的。而FPLA的与阵列和或阵列均可编程，因而可以减小芯片面积。从应用角度讲，FPLA可以实现组合逻辑，也可以实现时序逻辑。
     可编程阵列逻辑(PAL)的结构和FPLA相似，也由与阵列及或阵列两部分组成，其中与阵列可编程，或阵列固定。从逻辑特性看，PLA芯片不如FPLA芯片灵活。
     通用阵列逻辑(GAL)是80年代中期在PAL的基础上发展起来的器件，是PAL的换代产品。从基本原理来说，GAL器件仍采用与—或阵列结构。PAL器件是一次性可编程器件，而GAL器件则是一种电擦除的可编程器件，且功耗仅是PAL器件的1／4。GAL采用“输出逻辑宏单元”结构大大增强了逻辑上的灵活性，使得一种GAL器件可以代替许多种PAL器件，特别适合于研制开发阶段使用。
      现场可编程门阵列(FPGA)是90年代中后期发展起来的一种可编程的大规模集成器件，它既有门阵列的结构和性能，又具有现场可编程的特点，而且可以反复地擦除和重新编程，适用于ASIC的研制。FPGA的体系结构核心是可组态的逻辑块。